據媒體報導，日本Toppan計畫與美國IBM共同開發用於下世代半導體光罩技術，用於極紫外（EUV）光刻2奈米半導體製程。Toppan表示目標於2026年開始量產，供應給包括Rapidus等先進製程半導體製造商。

Toppen未來計畫在5年內，由Toppan朝霞工廠與IBM Albany Nanotech Complex共同合作開發光罩技術。

據悉目前僅台積電與韓國三星電子具備量產3奈米先進製造之光罩技術，日本之大日本印刷也正開發可用於3 奈米製成之光罩技術。

另一方面，日本新進製程半導體廠Rapidus計畫引進IBM技術，目標在2027年開始量產2奈米先進製程半導體。

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